在d軌道中電子排布成而不排成最直接的根據(jù)是( 。
| A. | 能量最低原理 | B. | 泡利不相容原理 |
| C. | 洪特規(guī)則的特例 | D. | 洪特規(guī)則 |
考點(diǎn):
原子核外電子排布.
分析:
洪特規(guī)則是:當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相同,據(jù)此判斷.
解答:
解:當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相同,稱為洪特規(guī)則,根據(jù)圖片知,5個(gè)電子占據(jù)不同的軌道且自旋方向相同,所以其根據(jù)是洪特規(guī)則,
故選D.
點(diǎn)評(píng):
本題考查了洪特規(guī)則的應(yīng)用,根據(jù)定義來分析解答即可,難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列組合中,屬于含有極性鍵的非極性分子的是( 。
| A. | C2H4、C2H2、CO2 | B. | CH4、CHCl3、CO2 |
| C. | Cl2、H2、N2 | D. | NH3、H2O、SO2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
溶液電導(dǎo)率與溶液中各離子的總濃度有關(guān),離子濃度越大,溶液電導(dǎo)率越大.現(xiàn)在向甲溶液中加入等濃度的乙溶液至恰好反應(yīng),混合溶液電導(dǎo)率與乙溶液體積的關(guān)系曲線如下所示,其中曲線錯(cuò)誤的是( )
| A. | B. | C. | D. |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
能夠鑒定氯乙烷中氯元素的存在的最佳操作是( 。
A. 在氯乙烷中直接加入AgNO3溶液
B. 加蒸餾水,充分?jǐn)嚢韬,加入AgNO3溶液
C. 加入NaOH溶液,加熱后加入稀硝酸酸化,然后加入AgNO3溶液
D. 加入NaOH的乙醇溶液,加熱后加入AgNO3溶液
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
已知:(X代表鹵素原子,R代表烴基)
利用上述信息,按以下步驟從合成.(部分試劑和反應(yīng)條件已略去)
請(qǐng)回答下列問題:
(1)分別寫出B、D的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:B _、D .
(2)反應(yīng)①~⑦中屬于消去反應(yīng)的是 .(填數(shù)字代號(hào))
(3)如果不考慮⑥、⑦反應(yīng),對(duì)于反應(yīng)⑤,得到的E可能的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為: .
(4)試寫出C→D反應(yīng)的化學(xué)方程式(有機(jī)物寫結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式,并注明反應(yīng)條件): .
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列物質(zhì):①蔗糖、邴溠刻恰、鄣矸邸、芾w維素、萦椭、薜鞍踪|(zhì),在酸存在的條件下分別進(jìn)行水解,其水解的最終產(chǎn)物一定只有一種的有( 。
| A. | ①⑤⑥ | B. | ②③④⑥ | C. | ①③④⑥ | D. | ②③④ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
關(guān)于氫鍵,下列說法正確的是( 。
| A. | 每一個(gè)水分子內(nèi)含有兩個(gè)氫鍵 |
| B. | 冰、水和水蒸氣中都存在氫鍵 |
| C. | DNA中的堿基互補(bǔ)配對(duì)是通過氫鍵來實(shí)現(xiàn)的 |
| D. | H2O是一種非常穩(wěn)定的化合物,這是由于氫鍵所致 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
在一個(gè)密閉容器中用等物質(zhì)的量的A和B發(fā)生反應(yīng):A(g)+3B(g) 2C(g),該反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí),平衡混和氣中A的體積分?jǐn)?shù)為( )
| A. | 50% | B. | 60% | C. | 70% | D. | 無法計(jì)算 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列敘述不正確的是( )
①Fe與S混合加熱生成FeS2
②Fe與稀HNO3、稀H2SO4反應(yīng)均有氣泡產(chǎn)生,說明Fe與兩種酸均發(fā)生置換反應(yīng)
③過量的銅與濃硝酸反應(yīng)有一氧化氮生成
④FeCl3溶液能與Cu反應(yīng),可用于蝕刻印刷電路.
A.①③
B.①②
C.②④
D.②③
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