13．如圖（a）所示，兩平行正對(duì)的金屬板A、B間相距為d_AB，兩板間加有如圖（b）所示的交變電壓，質(zhì)量為m，帶電量為+q的粒子被固定在兩板的正中間P處，且d_AB＞$\sqrt{\frac{q{U}_{0}{T}^{2}}{2m}}$．下列說法正確的是（　�。� 

	A．	t=0由靜止釋放該粒子，一定能到達(dá)B板
	B．	t=$\frac{T}{4}$由靜止釋放該粒子，可能到達(dá)B板
	C．	在0＜t＜$\frac{T}{2}$和$\frac{T}{2}$＜t＜T兩個(gè)時(shí)間段內(nèi)運(yùn)動(dòng)的粒子加速度相同
	D．	在$\frac{T}{4}$＜t＜$\frac{T}{2}$期間由靜止釋放該粒子，一定能到達(dá)A板

12．如圖，兩光滑斜面在B處鏈接，小球由A處靜止釋放，經(jīng)過B、C兩點(diǎn)時(shí)速度大小分別為3m/s和4m/s，AB=BC．設(shè)球經(jīng)過B點(diǎn)前后的速度大小不變．求：
（1）球在AB、BC段的加速度大小之比；
（2）球由A運(yùn)動(dòng)到C的過程中平均速率為多少．

11．北京正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)是國際上唯一高亮度對(duì)撞機(jī)，它主要由直線加速器、電子分離器、環(huán)形儲(chǔ)存器和對(duì)撞測(cè)量區(qū)組成，圖甲是對(duì)撞測(cè)量區(qū)的結(jié)構(gòu)圖，其簡(jiǎn)化原理如圖乙所示：MN和PQ為足夠長(zhǎng)的水平邊界，豎直邊界EF將整個(gè)區(qū)域分成左右兩部分，Ⅰ區(qū)域的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，Ⅱ區(qū)域的磁場(chǎng)方向垂直紙面向里．調(diào)節(jié)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小可以使正負(fù)電子經(jīng)過兩區(qū)域，在測(cè)量區(qū)內(nèi)平行于EF方向上進(jìn)行對(duì)撞．經(jīng)加速后的電子以相同速率分別從注入口C和D同時(shí)入射，入射方向平行EF且垂直磁場(chǎng)．已知注入口C、D到EF的距離均為d，邊界MN和PQ的間距為12（$\sqrt{2}$-1）d，正、負(fù)電子的質(zhì)量均為m，所帶電荷量分別為+e和-e．

（1）試判斷從注入口C、D入射的分別是哪一種電子；
（2）若將Ⅱ區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小調(diào)為B，正負(fù)電子以v=$\frac{（2-\sqrt{2}）deB}{m}$的速率同時(shí)入射，則正負(fù)電子經(jīng)過多長(zhǎng)時(shí)間相撞？
（3）若正負(fù)電子仍以v=$\frac{（2-\sqrt{2}）deB}{m}$的速率同時(shí)入射，欲確保正負(fù)電子不從邊界MN或PQ射出，實(shí)現(xiàn)對(duì)撞，求Ⅱ區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度B_Ⅱ的最小值．

10．如圖甲所示，離子源不斷地產(chǎn)生的正離子（正離子的重力可忽略不計(jì)），正離子從離子源飛出時(shí)的速度可忽略不計(jì)，離子離開離子源后進(jìn)入一加速電壓為U₀的加速電場(chǎng)，再沿平行金屬板的方向從兩板正中間射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)，偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板間的距離為d，極板長(zhǎng)為l=2d，偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的下極板接地，偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板右端到豎直放置的足夠大的熒光屏之間的距離也為l．現(xiàn)在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的兩極板間接一周期為T的交變電壓，上極板的電勢(shì)隨時(shí)間變化的圖象如圖乙所示．（設(shè)正離子的電荷量為q、質(zhì)量為m，離子穿過平行板的時(shí)間極短，可認(rèn)為離子在板間運(yùn)動(dòng)的時(shí)間內(nèi)保持剛進(jìn)入時(shí)的電壓）

（1）試計(jì)算離子剛進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)的速度v₀的大小；
（2）在電勢(shì)變化的過程中發(fā)現(xiàn)熒光屏有“黑屏”現(xiàn)象，即無正離子到達(dá)熒光屏，試計(jì)算每個(gè)周期內(nèi)熒光屏黑屏的時(shí)間t；
（3）離子打到熒光屏上的區(qū)間的長(zhǎng)度x．

9．如圖所示，a、b兩個(gè)閉合正方形線圈用同樣的導(dǎo)線制成，匝數(shù)均為100匝，邊長(zhǎng)l_a=3l_b，圖示區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的均強(qiáng)磁場(chǎng)，且磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間均勻增大，不考慮線圈之間的相互影響，則（　�。�

	A．	兩線圈內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向的感應(yīng)電流
	B．	a、b線圈中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)之比為9：1
	C．	a、b線圈中感應(yīng)電流之比為9：1
	D．	a、b線圈中電功率之比為9：1

8．下列說法不正確的是（　�。�

	A．	永動(dòng)機(jī)是不可能制成的
	B．	內(nèi)能不同的物體，它們分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能可能相同
	C．	布朗運(yùn)動(dòng)就是液體分子的運(yùn)動(dòng)，它說明分子永不停息地做無規(guī)則運(yùn)動(dòng)
	D．	氣體對(duì)容器的壓強(qiáng)是大量氣體分子對(duì)容器的碰撞引起的，它跟氣體分子的密集程度以及氣體分子的平均動(dòng)能有關(guān)

7．如圖1所示，在用插針法測(cè)上下表面平行的玻璃磚折射率的實(shí)驗(yàn)中，已確定好入射方向AO，插了兩枚大頭針P₁和P₂，1、2、3分別是三條直線．

（1）關(guān)于以后操作的說法中，你認(rèn)為正確的是B．
A．在bb′側(cè)調(diào)整觀察視線，另兩枚大頭針P₃和P₄可能插在3線上
B．在bb′側(cè)調(diào)整觀察視線，另兩枚大頭針P₃和P₄可能插在2線上
C．保持O點(diǎn)不動(dòng)，減小入射角，在bb′側(cè)調(diào)整觀察視線，另兩枚大頭針P₃和P₄可能插在1線上
D．保持O點(diǎn)不動(dòng)，增大入射角，在bb′側(cè)調(diào)整觀察視線，將看不清P₁和P₂的像，這可能是光在bb′側(cè)面發(fā)生了全反射
（2）在用插針法測(cè)定玻璃磚折射率的實(shí)驗(yàn)中，甲、乙兩位同學(xué)在紙上畫出的界面ab、cd與玻璃磚位置的關(guān)系分別如圖2、3所示，其中甲同學(xué)用的是矩形玻璃磚，乙同學(xué)用的是梯形玻璃磚．他們的其他操作均正確，且均以ab、cd為界面畫光路圖．則甲同學(xué)測(cè)得的折射率與真實(shí)值相比偏��；乙同學(xué)測(cè)得的折射率與真實(shí)值相比不變．（填“偏大”、“偏小”或“不變”）

6．如圖所示，在虛線MN上方有一水平向左的勻強(qiáng)電場(chǎng)，場(chǎng)強(qiáng)大小未知，在虛線MN下方有一水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)，場(chǎng)強(qiáng)大小為E，O是虛線上的一點(diǎn)，一質(zhì)量為m，帶電量為-q的小球從O點(diǎn)開始以初速度v₀向左上方運(yùn)動(dòng)，小球恰好能做直線運(yùn)動(dòng)，方向與水平方向的夾角為θ，當(dāng)小球回到O點(diǎn)后進(jìn)入MN下方的電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，并能經(jīng)過O點(diǎn)正下方的A點(diǎn)，求：
（1）小球做直線運(yùn)動(dòng)的過程中，電勢(shì)能改變量的最大值；
（2）小球從O點(diǎn)出發(fā)運(yùn)動(dòng)到A點(diǎn)所用的時(shí)間；
（3）小球經(jīng)過A點(diǎn)時(shí)速度的大�。�

5．如圖所示實(shí)線是一列正弦波在某時(shí)刻的波形曲線．經(jīng)0.6s后，其波形如圖中虛線所示．求：
（1）這列波的周期；
（2）當(dāng)該波的波速是70m/s時(shí)，這列波的傳播方向．

4．取兩個(gè)質(zhì)量均為m且可視為質(zhì)點(diǎn)的帶電物體，將甲固定在絕緣水平面上，乙從甲的正上方H高處的A點(diǎn)無初速釋放，其最低點(diǎn)B距離甲$\frac{H}{4}$；已知帶電體甲對(duì)乙的作用力為F=k$\frac{1}{{x}^{2}}$，如果取無窮遠(yuǎn)處為零勢(shì)能面，帶電體乙的電勢(shì)能大小為E=k$\frac{1}{x}$，式子中的x為甲、乙兩帶電體之間的距離，k為一未知的常數(shù)且大于零，重力加速度為g，則帶電體乙由A運(yùn)動(dòng)到B的過程中（　�。�

	A．	加速度和速度均先增大后減小
	B．	帶電體乙的機(jī)械能一直減小
	C．	帶電體乙速度的最大值為$\sqrt{\frac{gH}{2}}$
	D．	當(dāng)甲、乙兩帶電體之間的距離為$\frac{H}{3}$時(shí)帶電體乙的電勢(shì)能與甲的電勢(shì)能之和最小