如圖（a），直線MN表示某電場中的一條電場線，a、b是線上的兩點，將一帶負電荷的粒子從a點處由靜止釋放，粒子從a運動到b過程中的v-t圖線如圖（b）所示。設(shè)a、b兩點的電勢分別為、，場強大小分別為Ea、Eb，粒子在a、b兩點的電勢能分別為Wa、Wb，不計重力，則有

A．> B．Ea>Eb C．Ea<Eb D．Wa>Wb

如圖，質(zhì)量相同的兩物體a、b，用不可伸長的輕繩跨接在一光滑的輕質(zhì)定滑輪兩側(cè)，a在水平桌面的上方，b在水平粗糙桌面上，初始時用力壓住b使a、b靜止，撤去此壓力后，a開始運動。在a下降的過程中，b始終未離開桌面。在此過程中

A．a(chǎn)的動能小于b的動能

B．兩物體機械能的變化量相等

C．a(chǎn)的重力勢能的減小量等于兩物體總動能的增加量

D．繩的拉力對a所做的功與對b所做的功的代數(shù)和為零

現(xiàn)有一合金制成的圓柱體。為測量該合金的電阻率，現(xiàn)用伏安法測量圓柱體兩端之間的電阻，用螺旋測微器和游標(biāo)卡尺的示數(shù)如圖（a）和圖（b）所示。

（1）由上圖讀得圓柱體的直徑為_________mm，長度為__________cm。

（2）若流經(jīng)圓柱體的電流為I，圓柱體兩端之間的電壓為U，圓柱體的直徑和長度分別用D、L表示，則用D、L、I、U表示的電阻率的關(guān)系式為=____________。

用伏安法測量一電池的內(nèi)阻。已知該待測電池的電動勢E約為9V，內(nèi)阻約數(shù)十歐，允許輸出的最大電流為50mA�？蛇x用的實驗器材有：

電壓表（量程5V）；電壓表（量程10V）；

電流表（量程50mA）；電流表（量程100mA）；

滑動變阻器R（最大阻值300）；

定值電阻R1（阻值為200，額定功率為W）；

定值電阻R2（阻值為200，額定功率為1W）；

開關(guān)S；導(dǎo)線若干。

測量數(shù)據(jù)如坐標(biāo)紙上U-I圖線所示。

（1）在答題卡相應(yīng)的虛線方框內(nèi)畫出合理的電路原理圖，并標(biāo)明所選器材的符號。

（2）在設(shè)計的電路中，選擇定值電阻的根據(jù)是_____________。

（3）由U-I圖線求得待測電池的內(nèi)阻為_________.

（4）在你設(shè)計的實驗電路中，產(chǎn)生系統(tǒng)誤差的主要原因是___________。

短跑運動員完成100m賽跑的過程可簡化為勻加速直線運動和勻速直線運動兩個階段。一次比賽中，某運動員用11.00s跑完全程。已知運動員在加速階段的第2s內(nèi)通過的距離為7.5m，求該運動員的加速度及在加速階段通過的距離。

如圖，在x軸上方存在勻強磁場，磁感應(yīng)強度大小為B，方向垂直于紙面向外；在x軸下方存在勻強電場，電場方向與xOy平面平行，且與x軸成夾角。一質(zhì)量為m、電荷量為q（q>0）的粒子以初速度v0從y軸上的P點沿y軸正方向射出，一段時間后進入電場，進入電場時的速度方向與電場方向相反；又經(jīng)過一段時間T0，磁場的方向變?yōu)榇怪庇诩埫嫦蚶铮�大小不變。不計重力�?/p>

（1）求粒子從P點出發(fā)至第一次到達x軸時所需時間；

（2）若要使粒子能夠回到P點，求電場強度的最大值。

下列說法正確的是_________。（填入正確答案標(biāo)號。選對1個得2分，選對2個得4分；有選錯的得0分）

A．液面表面張力的方向與液面垂直并指向液體內(nèi)部

B．單晶體有固定的熔點，多晶體沒有固定的熔點

C．單晶體中原子（或分子、離子）的排列具有空間周期性

D．通常金屬在各個方向的物理性質(zhì)都相同，所以金屬是非晶體

E．液晶具有液體的流動性，同時具有晶體的各向異性特征

一豎直放置、缸壁光滑且導(dǎo)熱的柱形氣缸內(nèi)盛有一定量的氮氣，被活塞分割成Ⅰ、Ⅱ兩部分；達到平衡時，這兩部分氣體的體積相等，上部氣體的壓強為，如圖（a）所示。若將氣缸緩慢倒置，再次達到平衡時，上下兩部分氣體體積之比為3∶1，如圖（b）所示。設(shè)外界溫度不變。已知活塞面積為S，重力加速度大小為g，求活塞的質(zhì)量。

一列簡諧橫波沿x軸傳播，a、b為x軸上的兩質(zhì)點，平衡位置分別為，（）。A點的振動規(guī)律如圖所示。已知波速為m/s，在s時b的位移為0.05m，則下列判斷可能正確的是____________。（填入正確答案標(biāo)號。選對1個得2分，選對2個得4分；有選錯的得0分）

A．波沿x軸正向傳播，m

B．波沿x軸正向傳播，m

C．波沿x軸負向傳播，m

D．波沿x軸負向傳播，m

如圖，矩形ABCD為一水平放置的玻璃磚的截面，在截面所在平面內(nèi)有一細束激光照射玻璃磚，入射點距底面的高度為h，反射光線和折射光線的底面所在平面的交點到AB的距離分別為l1和l2。在截面所在平面內(nèi)，改變激光束在AB面上入射點的高度和入射角的大小，當(dāng)折射光線與底面的交點到AB的距離為l3時，光線恰好不能從底面射出。求此時入射點距底面的高度H。