天然放射現(xiàn)象中可產(chǎn)生α、β、γ三種射線．下列說(shuō)法正確的是（ ）

A．β射線是由原子核外電子電離產(chǎn)生的

B．經(jīng)過(guò)一次α衰變，變?yōu)?img src="http://thumb.1010pic.com/pic6/res/GZWL/web/STSource/2017111606031490713740/SYS201711160603178654446768_ST/SYS201711160603178654446768_ST.002.png">

C．α射線的穿透能力比γ射線穿透能力強(qiáng)

D．放射性元素的半衰期隨溫度升高而減小

關(guān)于下面四個(gè)裝置說(shuō)法正確的是（ ）

A．

實(shí)驗(yàn)可以說(shuō)明α粒子的貫穿本領(lǐng)很強(qiáng)

B．

實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象可以用愛(ài)因斯坦的質(zhì)能方程解釋

C．

是利用α射線來(lái)監(jiān)控金屬板厚度的變化

D．

進(jìn)行的是聚變反應(yīng)

如圖甲所示，兩根電阻忽略不計(jì)的導(dǎo)軌平行放置，導(dǎo)軌左端接電阻R1，右端接小燈泡L，導(dǎo)體棒AB垂直于導(dǎo)軌放置，電阻R1、導(dǎo)體棒AB和小燈泡L的電阻均為R（不計(jì)燈泡電阻隨溫度的變化），虛線MN右側(cè)有垂直導(dǎo)軌平面的磁場(chǎng)，當(dāng)導(dǎo)體棒AB從MN左側(cè)某處勻速向右運(yùn)動(dòng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)，磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化如圖乙所示，若導(dǎo)體棒AB從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中，燈泡的亮度始終不變，則導(dǎo)體棒AB在穿越磁場(chǎng)前后電阻R1上消耗的功率之比是（ ）

A．1∶1 B．1∶2 C．1∶3 D．1∶4

如圖所示，孤立點(diǎn)電荷+Q固定在正方體的一個(gè)頂點(diǎn)上，與+Q相鄰的三個(gè)頂點(diǎn)分別是A、B、C，下列說(shuō)法正確的是（ ）

A. A、B、C三點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相同

B. A、B、C三點(diǎn)的電勢(shì)相等

C. A、B、C三點(diǎn)所在的平面為一等勢(shì)面

D. 將一電荷量為+q的檢驗(yàn)電荷由A點(diǎn)沿直線移動(dòng)到B點(diǎn)的過(guò)程中電勢(shì)能始終保持不變

低頻電渦流傳感器可用來(lái)測(cè)量自動(dòng)化生產(chǎn)線上金屬板的厚度．如圖，在線圈L1中通以低頻交流電，它周?chē)鷷?huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，其正下方有一個(gè)與電表連接的線圈L2，金屬板置于L1、L2之間．當(dāng)線圈L1產(chǎn)生的變化磁場(chǎng)透過(guò)金屬板，L2中會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流．由于金屬板厚度不同，吸收電磁能量強(qiáng)弱不同，導(dǎo)致L2中感應(yīng)電流的強(qiáng)弱不同，則（ ）

A．金屬板吸收電磁能量，是由于穿過(guò)金屬板的磁場(chǎng)發(fā)生變化，板中產(chǎn)生渦流

B．金屬板越厚，渦流越弱

C．L2中產(chǎn)生的是直流電

D．L2中產(chǎn)生的是與L1中同頻率的交流電

閉合回路由電阻R與單匝導(dǎo)線框組成，其面積大小為S，內(nèi)部磁場(chǎng)大小按B-t圖變化，方向如圖，且B-t圖線的斜率為K，則回路中

A．感應(yīng)電流的方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较?/p>

B．感應(yīng)電流的電流強(qiáng)度越來(lái)越大

C．磁通量的變化率越來(lái)越大

D．產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為KS

如圖所示，n=10匝的矩形閉合線圈ABCD在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞垂直于磁場(chǎng)方向OO＇軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。轉(zhuǎn)軸OO＇過(guò)AC邊和BD邊的中點(diǎn)。若從圖示位置開(kāi)始計(jì)時(shí)，穿過(guò)線圈的磁通量Φ隨時(shí)間t的變化關(guān)系可以表示為Φ=0．1cos（10πt）（Wb），時(shí)間t的單位為s。已知矩形線圈的電阻為10Ω （ 取π=3．14，π2=9．86 ），則下列說(shuō)法中正確的是

A．在任意l s時(shí)間內(nèi)，線圈克服安培力所做的功為49．3J

B．任意1s時(shí)間內(nèi)，線圈中電流方向改變20次

C．電流的有效值為3．14A

D．穿過(guò)線圈磁通量的最大值為0．1Wb

如圖所示，寬度為d的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)豎直向下穿過(guò)光滑的水平桌面，一質(zhì)量為m的橢圓形導(dǎo)體框平放在桌面上，橢圓的長(zhǎng)軸平行磁場(chǎng)邊界，短軸小于d�，F(xiàn)給導(dǎo)體框一個(gè)初速度v0（v0垂直磁場(chǎng)邊界），已知導(dǎo)體框全部在磁場(chǎng)中的速度為v，導(dǎo)體框全部出磁場(chǎng)后的速度為v1；導(dǎo)體框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱為Q1，導(dǎo)體框離開(kāi)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱為Q2。下列說(shuō)法正確的是

A．導(dǎo)體框離開(kāi)磁場(chǎng)過(guò)程中，感應(yīng)電流的方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较?/p>

B．導(dǎo)體框進(jìn)出磁場(chǎng)都是做勻變速直線運(yùn)動(dòng)

C．Q1 > Q2

D．Q1 + Q2=m（v02-v12）

如圖所示，邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框質(zhì)量為m，由距磁場(chǎng)H高處自由下落，其下邊ab進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)后，線圈開(kāi)始做減速運(yùn)動(dòng)，直到其上邊dc剛剛穿出磁場(chǎng)時(shí)，速度減為ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的一半，磁場(chǎng)的寬度也為L(zhǎng)，則線框穿越勻強(qiáng)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱為(　　)

A. 2mgL B. 2mgL＋mgH

C. 2mgL＋mgH D. 2mgL＋mgH

一個(gè)共有10匝的閉合矩形線圈，總電阻為10Ω、面積為0．04m2，置于水平面上。若線框內(nèi)的磁感強(qiáng)度在0．02s內(nèi)，由垂直紙面向里，從1．6T均勻減少到零，再反向均勻增加到2．4T。則在此時(shí)間內(nèi)，求線圈內(nèi)導(dǎo)線中的感應(yīng)電流大小。