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寫出你所知道的分子具有以下形狀的物質(zhì)的化學(xué)式,并指出它們分子中的鍵角分別是多少?
(1) 直線形
(2) 平面三角形
(3) 三角錐形
(4) 正四面體
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2003年10月16日“神舟五號”飛船成功發(fā)射,實現(xiàn)了中華民族的飛天夢想。
運送飛船的火箭燃料除液態(tài)雙氧水外,還有另一種液態(tài)氮氫化合物。已知該化合物中氫元素的質(zhì)量分數(shù)為12.5%,相對分子質(zhì)量為32,結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)該分子結(jié)構(gòu)中只有單鍵。
(1)該氮氫化合物的電子式為 。
(2)若該物質(zhì)與液態(tài)雙氧水恰好完全反應(yīng),產(chǎn)生兩種無毒又不污染環(huán)境的氣態(tài)物質(zhì),寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 。
(3)NH3分子中的N原子有一對孤對電子,能發(fā)生反應(yīng):NH3+HCl=NH4Cl。試寫出上述氮氫化合物通入足量鹽酸時,發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式 。
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20世紀50年代科學(xué)家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預(yù)測簡單分子立體結(jié)構(gòu)。其要點可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結(jié)合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數(shù)。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ、分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;
Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;iv、其他。請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據(jù)要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?/p>
n+m | 2 |
|
VSEPR理想模型 |
| 正四面體 |
價層電子對之間的理想鍵角 |
| 109°28′ |
(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因 ;
(3)H2O分子的立體構(gòu)型為: ,請你預(yù)測水分子中∠H-O-H的大小
范圍并解釋原因 ;
(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結(jié)合,S-Cl、S-F之間以單鍵結(jié)
合。請你預(yù)測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構(gòu)型: , SO2Cl2
分子中∠Cl-S-Cl (選填“<”、“>”或“=”)SO2F2分子中∠F-S-F。
(5)用價層電子對互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構(gòu)型
分子或 離子 | PbCl2 | XeF4 | SnCl62- | PF3Cl2 | HgCl42- | ClO4-- |
空間 構(gòu)型 |
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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。
(1)請寫出上圖中d單質(zhì)對應(yīng)元素原子的電子排布式 。
(2)單質(zhì)a、b、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比1:1:1形成的分子中含 個鍵, 個鍵。
(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為 ;將X溶于水后的溶液滴入到含d元素高價離子的溶液中至過量,生成的含d元素離子的化學(xué)式為 ,其中X與d的高價離子之間以 鍵組合。
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(08浙江金麗衢十二校聯(lián)考) A、B、C、D、E五種短周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大。B原子的最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的2倍;C的最高價氧化物對應(yīng)的水化物與其氫化物反應(yīng)生成一種鹽x;E與A同主族;A、B、C這三種元素,每一種與D都能形成元素的原子個數(shù)比不相同的若干種化合物。
(1)寫出元素的名稱:C____________________.E___________________
(2)畫出D的原子結(jié)構(gòu)示意圖____________________________
(3)B的最高價氧化物的電子式是____________________________
(4)鹽X的水溶液顯酸性原因是___________________.(用離子方程式說明)。
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